半導体集積回路のシリコンに代わる大面積ゲルマニウムウェハー作製

摘要

東京都市大学総合研究所ナノエレクトロニクス研究センターの澤野憲太郎教授らの研究チームは、半導体集積回路のシリコンに代わる超低消費電力化も可能な絶縁膜上の大面積ゲルマニウムウェハーを作製する新技術の開発に成功した。国際会議ISTDM2016(International SiGe Technology and Device Meeting)で発表した。