次世代パワーデバイス実現へGaNHピタキシャル成長技術台湾企業がNTT-ATから導入

摘要

NTTアドバンステクノロジ(NTT-AT)は1月16日、台湾の鴻鎵科技股份有限公司(GPT：GaN Power Technology Co.Ltd, )が、今後の低炭素社会を支える次世代パワーデバイス実現のために、NTT-ATのパワーデバイス用窒化ガリウム(GaN)エピタキシャル成長技術の採用を決定したと発表した。両社は12月21日に、エピタキシャルウェハ成長装置とパワーデバイス用製造レシピに関する売買契約を、台北で締結した。