大電流パワーデバイスに向けた高均一性と低欠陥を実現する高品質SiCェピタキシャル成長技術について

摘要

6インチSiC基板を複数枚同時成長の出来る横型ホット ウォールCVDを用いて、ェピタキシャル成長を行い成長層の評価を行った。膜厚および不純物濃度はそれぞれ高い均 一性を示していた。基板に含まれる基底面転位は緩衝層に より高い効率で貫通刃状転位へと転換することが可能であ る。これらと併せて、SiCェピタキシャル成長層に見られる 結晶欠陥を安定的に低減することで、欠陥の含まれない無 欠陥領域を高めることが出来ることが示された。今後のSiC デバイスの大電流化に向けた素子の大面積化並びに信頼性 の獲得に向けて大きく貢献するものと考えられる。