机译:次分辨率功能可均匀化光刻掩模和晶圆上的加热密度变化
机译:考虑工艺变化的快速光刻掩模优化
机译:晶圆间的缺陷密度变化对集成电路缺陷和故障分布的影响
机译:一种超快激光切割和高密度等离子体蚀刻与薄硅晶片切割的水溶性掩模的混合方法
机译:使用子系统辅助功能的160nm线特征的成像对比度改善,具有二进制六个百分之三元减速相移掩模,具有过程调谐抗蚀剂
机译:电子束投影光刻掩模系统在曝光期间的热机械变形。
机译:通过使用自掩膜蚀刻技术在晶圆表面形成纳米级金字塔提高多晶硅晶圆太阳能电池效率
机译:使用从相移光栅成像的目标上进行叠加测量的光刻系统基于晶圆的像差计量