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Subresolution features to homogenize heating density variations on the lithographic mask and wafer

机译:次分辨率功能可均匀化光刻掩模和晶圆上的加热密度变化

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摘要

In typical reticle designs used to pattern imaging radiation in optical lithography, feature density varies across a reticle. During exposure, these variations induce corresponding variations in heating density, temperature on the reticle and temperature on the wafer. These variations, in turn, cause variations in overlay. Some of these overlay variations are uncorrectable by many lithographic scanners.
机译:在用于对光刻中的成像辐射进行图案化的典型掩模版设计中,整个掩模版的特征密度会有所不同。在曝光期间,这些变化引起加热密度,掩模版上的温度和晶片上的温度的相应变化。这些变化继而导致重叠的变化。这些重叠变化中的某些变化是许多光刻扫描仪无法纠正的。

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  • 来源
    《Research Disclosure》 |2018年第647期|397-397|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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  • 入库时间 2022-08-17 23:56:27

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