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机译:测量欧姆接触电阻的计量方面
V. E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of NAS of Ukraine, Kyiv, Ukraine;
机译:CF_4:O_2表面蚀刻N-Type 4H-SiC上的Ni / Nb欧姆接触中的接触电阻和高温可靠性的表面蚀刻
机译:Ni和Nb厚度对4H-SiC的欧姆触点低特定接触电阻和高温可靠性的影响
机译:黑色磷的铅掺杂金属欧姆触点,具有超低接触电阻的黑色磷场效应晶体管
机译:通过特定的接触电阻测量和X射线光电子能谱研究了与4H-SiC的低电阻欧姆接触的形成,从而避免了后退火的需要
机译:工程欧姆触点III-V,III-N和2D二均甲基化物:退火和表面制剂对接触电阻的影响
机译:超低接触电阻的黑色磷场效应晶体管中的掺锗金属欧姆接触
机译:用四接触法研究欧姆接触的比接触电阻率的计量学方面
机译:镍/锗/金,钯/锗/钛/铂,钛/钯欧姆接触对砷化镓的接触电阻及其温度依赖性从4.2到350K