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赵安邦; 谭开洲; 吴国增;
重庆邮电大学光电工程学院;
中国电子科技集团公司第二十四研究所;
模拟集成电路国家重点实验室;
金属-半导体; 欧姆接触; 接触电阻率; 传输线模型法;
机译:PT中间层对低电阻率欧姆接触对P-INP层的影响及其优化
机译:低电阻率硅的Algan / GaN HEMT欧姆接触的优化
机译:作为N + -SI上基于Ti的欧姆接触的前轴植入的具体接触电阻率改善
机译:Ni_2SI欧姆接触植入4H-SIC型Ni_2SI欧姆接触电流传输机制的比较研究
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:粒状碳和石墨材料的电阻率测量方法
机译:两种瞳孔间距测量方法的比较研究两种瞳孔间距测量方法的比较研究
机译:接触尺寸对van der pauw电阻率和霍尔系数测量方法的影响。
机译:电阻率测量方法,半导体器件制造方法,电阻率测量程序和电阻率测量装置
机译:能够根据原子电缆绝缘材料的劣化状态来测量绝缘材料的体积电阻率的能够测量绝缘电缆的体积电阻率的原子电缆体积电阻率测量装置以及使用该方法的测量方法
机译:电阻率测量装置,具有该电阻率测量装置的燃煤电厂及其电阻率测量方法
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