Gallium arsenides; Platinum; Nickel; Titanium; Gold; Germanium; Palladium; Thermal properties; Metals; Field emission; Semiconductor junctions; Thermal radiation; Electric contacts;
机译:用于表面沟道砷化镓MOSFET的原位表面钝化和CMOS兼容的钯锗触点
机译:基于砷化镓和磷化铟的欧姆接触电阻率的温度依赖性在4.2-300 K之间
机译:p型锗上的低电阻钛触点和热不稳定的锗化镍触点
机译:合成唾液中金钯,银钯,镍铬和镍钛钛合金的耐蚀性评估
机译:砷化镓集成电路技术:离子注入技术和钯-锗欧姆接触处理。
机译:超低接触电阻的黑色磷场效应晶体管中的掺锗金属欧姆接触
机译:p型锗上的低电阻钛触点和热不稳定的锗化镍触点