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机译:采用45纳米工艺的新兴器件忆阻器,可增强静态噪声裕度并提高稳定性SRAM单元
ITM University;
ITM University;
机译:使用45nm技术对7T SRAM单元进行读取操作期间的静态噪声裕度分析,以提高单元稳定性
机译:使用基于Finfet的技术的Flex-pass-gate Sram增强静态噪声余量
机译:器件和电路级抑制技术,用于在16 nm栅SRAM单元中随机掺杂引起的静态噪声容限波动
机译:使用适用于制造的TFET器件的测量数据的2D紧凑模型对8T TFET SRAM单元进行静态噪声裕度分析
机译:新兴技术和策略,以增强花青素的稳定性。
机译:量化电导与氧化钽忆阻器中的状态不稳定和过量噪声相吻合
机译:15.4用于带背栅的盲文片显示器的有机FET sRam,以增加静态噪声容限