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韓国•サムスン5ナノFinFETプロセス技術開発完了サンプル生産を準備

机译:韩国•三星5纳米FinFET过程技术开发完整的样品生产

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摘要

【ソウル支局】韓国のサムスン電子は16日、EUV (極端紫外線)露光技術を用いた5ナノメートルFinFETプロセス技術の開発を終え、顧客向けサンプル生産の準備に入ったと発表した。AI (人工知能)や高性能コンピューティングなど最先端の半導体デバイス向けとして今後、大幅な需要拡大を見込む。
机译:[首尔分公司]韩国三星电子宣布,使用EUV(极端紫外线)曝光技术的5纳米FinFET过程技术的开发宣布为客户生产为客户提供。我们将在未来扩大巨大的需求扩展,用于诸如AI(人工智能)和高性能计算的最先进的半导体器件。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2019年第17645期|2-2|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类
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  • 入库时间 2022-08-18 23:03:39

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