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【24h】

韓国•サムスン5ナノFinFETプロセス技術開発完了サンプル生産を準備

机译:韩国•三星5 Nano FinFET工艺技术开发完成样品生产准备就绪

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摘要

【ソウル支局】韓国のサムスン電子は16日、EUV (極端紫外線)露光技術を用いた5ナノメートルFinFETプロセス技術の開発を終え、顧客向けサンプル生産の準備に入ったと発表した。AI (人工知能)や高性能コンピューティングなど最先端の半導体デバイス向けとして今後、大幅な需要拡大を見込む。
机译:[首尔局]三星电子有限公司于16日宣布,它已经完成了使用EUV(极端紫外线)曝光技术的5 nm FinFET制程技术的开发,并正在为客户准备样品。我们预计对诸如AI(人工智能)和高性能计算等尖端半导体设备的需求将显着增加。

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  • 来源
    《电波新闻》 |2019年第17645期|2-2|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
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  • 入库时间 2022-08-18 04:25:15

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