Herstellung selbstaufbauender Si-Quantenringstrukturen auf einem Si-Substrat durch plasmaunterstützte chemische Dampfphasenabscheidung, basierend auf einem Wettbewerb zwischen Wachstum und Ätzen

摘要

Es wird über die Herstellung selbst aufbauender Silicium-Quan-tenringstrukturen auf einem Si(100)-Substrat durch eine plasmaunterstützte chemische Dampfphasenabscheidung berichtet. Grundlage ist ein Wettbewerb zwischen Wachstum und Ätzen. Zunächst bildete sich eine Anordnung flacher Si-Inseln mit niedriger Dichte durch Zersetzung von H_2-verdünntem SiH_4.