机译:非对称耦合GaAs / Al_xGa_(1-x)As V型槽量子线的电致发光和光致发光研究
Laboratory of Physics of Nanostructures, Institute of Quantum Electronics and Photonics, Swiss Federal Institute of Technology Lausanne, CH-1015 Lausanne, Switzerland;
quantum wires; tunneling; electroluminescence; photoluminescence; properties and materials;
机译:利用光反射光谱研究Al_xGa_(1-x)As / GaAs / Al_xGa_(1-x)As耦合量子阱中尺寸量化的影响
机译:高质量GaAs / Al_xGa_(1-x)作为量子阱的磁光致发光研究中的游离和受主键合的正三子的热解离
机译:(100)GaAs / Al_xGa_(1-x)As异质结构用于空穴量子线的塞曼自旋分裂研究
机译:非对称耦合GaAs / AlgaAs V槽量子线的电致发光
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:温度和激发强度对InGaAs / GaAs表面量子点光致发光特性的相互作用
机译:GaAs / Al_xGa_ {1-x} As量子阱中声子辅助激子的形成和弛豫
机译:al(x)Ga(1-x)as / Gaas非对称耦合量子阱中的光学非线性