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李志锋; FuY;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室;
V形; AlGaAs; 量子线; 显微光致发光; 砷化镓;
机译:离子注入修饰的单调制掺杂GaAs / AlGaAs V形槽量子线的光学和电子性能
机译:磁化GaAs / AlGaAs量子线结构的超快光学响应研究
机译:劈裂边缘过度生长制备的GaAs / AlGaAs T形量子线结构的磁光研究
机译:GaAs / AlGaAs和InGaAs / InP V形沟槽的价带能110量子线
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:砷离子注入GaAs / AlGaAs V形槽量子线的光学性质
机译:结构紊乱对Gaas / alGaas量子线电子态的影响
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:形成GaAs / AlGaAs异质结构的方法以及通过该方法获得的GaAs / AlGaAs异质结构
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