GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析

田彦宝; 吉元; 王俊忠; 张隐奇; 关宝璐; 郭霞; 沈光地

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GaAs-AlGaAs外延结构中微区应力的电子背散射衍射分析

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采用电子背散射衍射(EBSD)技术,以30～40nm的空间分辨率,显示GaAs-AlGaAs外延结构中的应力分布.将菊池花样质量IQ和Hough峰,以及晶格错配和局部转动等测量参数作为应力敏感参数,分析GaAs-AlGaAs周期外延层中的应变状态.通过对菊池花样进行快速傅立叶变换和强度计算识别微区应变区域.

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来源
《功能材料》 |2008年第3期|515-518,522|共5页
作者
田彦宝; 吉元; 王俊忠; 张隐奇; 关宝璐; 郭霞; 沈光地;
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作者单位

北京工业大学,固体微结构与性能研究所,北京,100022;

北京工业大学,固体微结构与性能研究所,北京,100022;

北京工业大学,固体微结构与性能研究所,北京,100022;

北京工业大学,固体微结构与性能研究所,北京,100022;

北京工业大学,光电子技术研究所,北京,100022;

北京工业大学,光电子技术研究所,北京,100022;

北京工业大学,光电子技术研究所,北京,100022;

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正文语种 chi
中图分类微波混合集成电路（微波集成电路）;
关键词
电子背散射衍射(EBSD); 微区应力; GaAs-AlGaAs;

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