机译:Si / SiO_2界面上的氮悬挂键的电荷跃迁水平:第一性原理研究
Institute of Theoretical Physics, Ecole Polytechnique Federate de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland Institut Romand de Recherche Numerique en Physique des Materiaux (IRRMA), CH-1015 Lausanne, Switzerland;
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electron states at surfaces and interfaces; impurity and defect levels;
机译:Ge悬挂键在(100)Si_(1_x)Ge_x / SiO_2界面的电子性质的第一性原理研究
机译:应变对凝结生长具有纳米厚度Ge_xSi_(1-x)层的SiO_2 / Ge_xSi_(1-x)/ SiO_2 /(100)Si结构的Ge悬空键界面缺陷的钝化效率的影响
机译:通过EPR研究氧化多孔SiC中的4H-SiC / SiO_2界面碳悬空键中心。
机译:第一性原理中突然出现的SiO_2 / 4H-和6H-SiC(0001)的界面态:Si悬挂键,C悬挂键和C团簇的影响
机译:过渡金属二卤化物中电荷密度波,电子-声子耦合和超导电性的第一性原理研究
机译:过渡元件添加对Al(111)/ 6H-SiC(0001)界面的界面相互作用和电子结构的影响:第一原理研究
机译:悬臂债券的第一性原理电子结构计算 si / siO $ _2 $和Ge / GeO $ _2 $接口