机译:QCD校正使s〜(1/2)= 10.6 GeV的e〜+ e〜-An灭中双J /Ψ产生
Institute of High Energy Physics, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 918(4), Beijing, 100049, China;
机译:在E + E中对J /ψ和ηc产生的(αsυ2)校正?灭√s?=?10.6?GeV
机译:在√s= 10.6 GeV的e + e hil灭中对J /ψ和ηc产生的O(αsυ2)校正
机译:电子正电子an灭中能量√s= 10.6 GeV时产生双charm的截面
机译:从事件形状和喷射率之间的QCD研究在e〜+ e〜 - 湮灭中的30和196 gev之间
机译:用200GeV / c极化质子束和极化质子靶产生包含多γ对的双自旋不对称性A [LL]和不变双微分截面的测量
机译:作者更正:单质粒双表达His-tag系统可快速生产并易于纯化MS2噬菌体样颗粒
机译:QCD修正使e + e-湮灭时的J / \ psi产量翻倍 \ sqrt {s} = 10.6 GeV