机译:微透镜曲率对集成微透镜的扩展腔GaN VCSEL操作的影响
School of Physics and Inter-university Semiconductor Research Centre, Seoul National University, Seoul 151-747, Korea;
semiconductor lasers; laser diodes; resonators; cavities; amplifiers; arrays; and rings; efficiency; stability; gain; and other operational parameters; lenses; prisms and mirrors; stimulated emission;
机译:微透镜曲率对集成微透镜的扩展腔GaNVCSEL操作的影响
机译:集成微透镜的980 nm垂直腔面发射激光器中的模式稳定操作
机译:通过原位激光反射法和反射率建模精确控制微透镜集成腔内接触垂直腔面发射激光器的蚀刻深度
机译:微透镜曲率对微透镜整体延伸腔GAN VCSELS的影响
机译:基于非极性GaN的VCSEL与晶格匹配的纳米多孔分布式布拉格反射镜
机译:集成双波长VCSEL底部使用电泵浦的GaInAs / AlGaAsAs 980 nm腔顶部使用光泵浦的GaInAs / AlGaInAs 1550 nm腔
机译:GaN基VCSEL腔中结构敏感损耗的分析及其对模式识别的影响
机译:氧化物限制垂直腔面发射激光器(VCsEL)二极管中的质子辐照效应。