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机译:磁控溅射非晶Si 1 sub> x sub> x C x sub>薄膜(x = 1/3)的结晶度,通过掠入射X射线衍射法研究
a AG Materialphysik, Institut für Metallurgie, TU Clausthal, D-38678 Clausthal-Zellerfeld, Germany b Institut für Materialforschung III, Karlsruher Institut für Technologie, D-76344 Eggenstein-Leopoldshafen, Germany;
机译:掠入射X射线衍射研究磁控溅射非晶Si_(1-x)C _x薄膜(x = 1/3)的结晶
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