MINIMUM DROPOUT VOLTAGE ON A SERIAL PNP TRANSISTOR OF A MODERATELY LOADED VOLTAGE REGULATOR IN A GAMMA RADIATION FIELD

摘要

Основна мерена вредност у експерименту спроведеном на умерено оптереhеном стабилизатору напона био jе минимални пад напона на редном пнп транзистору, праhен подацима о струjи базе и коефициjенту струjног поjачнъа. Минимални пад напона сманъио се за наjвише 12%, док су се мерене вредности коефициjента струjног поjачанъа сманъиле за 20%-40% након апсорбованъа дозе рнизуjуhег транзистора сузбиjаньем формиранъа споjних захвата наелектрисанъа изнад области базе. Протицанъе струjе кроз редни транзистор стабилизатора напона имало jе утицаj на сманъенъе коефициjента етруjног поjачанъа пнп транзистора снаге. Због рада са умереним оптереhенъем од 100 mА, пад ефикасности емитора ниjе био значаjан као у случаjу рада са великом густином струjе, што je уклонило негативан утицаj загушенъа емитора на радиjациону отпорност стабилизатора напона. Током рада са умереним оптереhенъем, поjачанъе негативне повратне спреге jе било довольно да одржи излазне параметре у предвиъеном опсегу. Подаци добиjени током испитиванъа минималног пада напона на умерено оптереhеним стабилизаторима напона нису били доволъни за недвосмислено утвръиванъе радиjационе отпорности испитиваних интегрисаних кола.%The main examined value in an experiment performed on moderately loaded voltage regulators was the serial pnp transistor's minimum dropout voltage, followed by the data on the base current and forward emitter current gain. Minimum dropout voltage decreased by up to 12%, while the measured values of the forward emitter current gain decreased by 20-40% after the absorption of a total ionizing dose of 500 Gy. The oxide trapped charge increased the radiation tolerance of the serial lateral pnp transistor owing to the suppression of interface trap formation above the base area. Current flow through the serial transistor of the voltage regulator had an influence on the decrease in the power pnp transistor's forward emitter current gain. Due to the operation with a moderate load of 100 mA, loss of emitter injection efficiency was not as important as during the operation with high current density, thus eliminating the negative influence of emitter crowding on the radiation hardness of the voltage regulator. For a moderate load, gain in the negative feedback reaction was enough to keep output voltage in the anticipated range. Only information procured from tests of the minimum dropout voltage on the moderately loaded voltage regulators were not sufficient for unequivocal determination of the examined integrated circuit's radiation hardness.