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机译:通过射频信号和负高压脉冲通过单馈通的基于等离子体的离子注入和沉积方法,形成类金刚石碳膜的特性
Laboratory of Purified Materials, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-8-31 Midorigaoka, Ikeda, Osaka 563-8577, Japan;
plasma based ion implantation; DLC; stress; nanoindentation; scratch test; adhesion;
机译:通过基于离子的离子注入系统通过单馈通施加RF和负高压脉冲来形成氢化非晶碳膜
机译:负脉冲高压偏压对电容耦合射频等离子体化学气相沉积法制备类金刚石碳薄膜的影响
机译:射频等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅和类金刚石碳膜的光学性能随沉积时间的变化
机译:利用脉冲高压辉光放电等离子体浸没离子注入和沉积增强磷注入的类金刚石碳膜的生物相容性
机译:等离子体物理学中的无氢类金刚石碳薄膜和纳米复合材料的脉冲激光沉积。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:射频电感耦合等离子体在金刚石状碳膜的化学气相沉积过程中的应用,用于改性沉积膜的性能