机译:分子束外延在GaAs上生长的半金属铁磁体“锌共混CrAs”的荧光扩展X射线吸收精细结构分析
Department of Materials Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Nagoya University, Furo-Cho, Chikusa-Ku, Nagoya 464-8603, Japan;
EXAFS; half-metallic ferromagnet; chromium compounds; arsenic compounds; X-ray fluorescence analysis;
机译:通过分子束外延生长的锌共混物CrAs / GaAs多层
机译:线性渐变Inalas缓冲器上气源分子束外延生长波长扩展Ingaas光电探测器结构的特性
机译:Si掺杂诱导的无催化剂分子束外延气相固液生长Si掺杂GaAs纳米线中的闪锌矿和纤锌矿相分离
机译:在分子束外延期间用ER和EU原位掺杂GaN癫痫仪的X射线吸收细结构研究
机译:通过分子束外延生长的GaAs / Gaassb(N)核心壳纳米线的带隙调谐
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:通过分子束外延在Gaas衬底上的Inalas缓冲层上生长的InGaas / alGaas子带间跃迁结构