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机译:激光亚熔退火后硅中砷浅注入激活的EXAFS研究
ITC-irst Centro per la Ricerca Scientifica e Tecnologica, Via Sommarive 18, 38050 Povo (TN), Italy;
defects and impurities in crystals; microstructure; ion scattering from surfaces (charge transfer, sputtering, sims); X-ray absorption spectroscopy: EXAFS, NEXAFS, XANES, etc.;
机译:在CMOS技术中使用的共注入p +多晶硅栅极内,亚熔融激光退火引起的掺杂剂扩散和激活
机译:硅中砷浅埋层的高灵敏度x射线吸收精细结构研究
机译:硅中砷浅埋层的高灵敏度x射线吸收精细结构研究
机译:通过共注入和亚熔化激光退火形成的超浅结
机译:硼注入硅的非熔融激光退火。
机译:硅纳米线中植入和退火的砷原子的离散分布及其对器件性能的影响
机译:亚熔体激光退火的激活机理分析