...
机译:H_2〜+注入6H-SiC中的注入温度和热退火行为
Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China;
Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China;
Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China;
6H-SiC; Hydrogen implantation; HRXRD; Surface morphology; Ion-cut;
机译:高温快速热退火后低剂量砷和硼注入的硅中残留缺陷的热行为
机译:高能Kr和Ne离子注入6H-SiC中晶格损伤的产生和退火行为
机译:3-44高能K注入6H-SiC晶格损伤的产生及退火行为
机译:高温快速热退火后低剂量植入硅中残余损伤的热行为
机译:氮化镓和氮化镓基器件的高级处理:超高温退火和注入结合。
机译:注入后退火过程中辐照的6H-SiC中氦气气泡和圆盘的演变
机译:RF退火在室温下在6H-SiC中植入铝和氮气的高电激活
机译:在> 1,100℃的温度下对si注入的氮化镓进行注入活化退火