机译:单原子和分子离子辐照对GaN中时间分辨光致发光衰减的影响
Peter Great St Petersburg Polytech Univ St Petersburg Russia;
Vavilov Opt Inst St Petersburg Russia;
GaN; Ion implantation; Radiation damage; Photoluminescence; Time-resolved PL; Collision cascade density; Charge carrier diffusion;
机译:单原子和分子离子辐照对GaN中时间分辨光致发光衰减的影响
机译:时间分辨光致发光和慢正电子an灭技术研究极性和非极性GaN中室温非辐射性光致发光寿命的限制因素
机译:通过无催化剂分子束外延生长的松弛和应变GaN纳米线的稳态和时间分辨光致发光
机译:来自Ingan / GaN纳米棒的强光发光通过时间分辨的光致发光研究
机译:GaN中点缺陷的时间分辨光致发光研究。
机译:通过时间分辨光致发光测定GaN中的电子捕获系数和自由电子浓度
机译:嵌入AlGaN势垒的耦合非对称GaN量子盘的时间分辨和时间积分光致发光研究
机译:激发波长依赖和时间分辨光致发光研究铕掺杂GaN生长的中断生长外延(IGE)。