机译:通过时间分辨光致发光测定GaN中的电子捕获系数和自由电子浓度
机译:通过时间分辨光致发光测定GaN中的电子捕获系数和自由电子浓度
机译:GaN中0.88 eV光致发光的相似性及间隙中O-P供体的电子捕获发射
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al0.23Ga0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:通过光致发光和拉曼光谱估算高质量重掺杂GaN:Si微棒中的自由载流子浓度
机译:GaN中点缺陷的时间分辨光致发光研究。
机译:极性InGaN / GaN多量子阱结构的时间分辨光致发光测量的新模型
机译:从时间分辨光致发光的GaN中的电子捕获系数和自由电子浓度的测定