Virginia Commonwealth University.;
机译:Mg掺杂GaN中与供体-受体对相关的3.27 eV带和蓝色光致发光的不同特征。静水压研究
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al0.23Ga0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al_0.23Ga_0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:具有低缺陷密度的单晶CdTe / MgCdTe双异质结构的温度相关时间分辨光致发光研究
机译:锑化铟的光致发光,磁光致发光和时间分辨光致发光研究。
机译:1.3μmGaInNAsSb量子阱退火的时间分辨光致发光研究
机译:GaN中点缺陷的时间分辨光致发光研究