机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al0.23Ga0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al_0.23Ga_0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:n型GaN中的缺陷导致的时间分辨光致发光
机译:来自Ingan / GaN纳米棒的强光发光通过时间分辨的光致发光研究
机译:GaN中点缺陷的时间分辨光致发光研究。
机译:通过时间分辨光致发光测定GaN中的电子捕获系数和自由电子浓度
机译:通过稳态和时间分辨光致发光识别HVPE-生长的GaN中的点缺陷
机译:激发波长依赖和时间分辨光致发光研究铕掺杂GaN生长的中断生长外延(IGE)。