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Detection of low-energy protons using a silicon drift detector

机译:使用硅漂移检测器检测低能质子

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摘要

The detection of low-energy protons is a well-known problem in various neutron decay studies. We report first measurements with a silicon drift diode (SDD) using protons with impact energies in the range from 10 to 16 keV. Compared to a standard PIN diode the SDD shows a much improved separation of the proton signal from noise. This detector type initially developed for X-ray spectroscopy will therefore become very useful for proton detection in forthcoming neutron decay experiments. It might also be applied in other projects involving low-energy charged particle detection.
机译:在各种中子衰变研究中,低能质子的检测是一个众所周知的问题。我们报告了使用冲击能量在10到16 keV范围内的质子的硅漂移二极管(SDD)进行的首次测量。与标准PIN二极管相比,SDD显示出质子信号与噪声的分离大大改善。因此,最初为X射线光谱学开发的这种检测器类型将在即将到来的中子衰变实验中对于质子检测非常有用。它也可能适用于其他涉及低能带电粒子检测的项目。

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