机译:24 GeV / c质子辐照的MCZ n型和p型Si探测器中的等双结:系统瞬态电流技术研究
Brookhaven National Laboratory, Upton, NY 11720, USA;
rnBrookhaven National Laboratory, Upton, NY 11720, USA;
Ioffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg, Russia;
rnBrookhaven National Laboratory, Upton, NY 11720, USA;
rnBrookhaven National Laboratory, Upton, NY 11720, USA;
rnHelsinki Institute of Physics, Finland;
rnHelsinki Institute of Physics, Finland;
rnHelsinki Institute of Physics, Finland;
rnIoffe Physico-Technical Institute, St. Petersburg, Russia;
Si detectors; equal-double peak (EDP); SCSI; DP; DJ; radiation hardness;
机译:γ辐射在p型MCZ Si探测器和质子辐照n型MCZ Si探测器中引起的空间电荷符号反转和再反转
机译:研究24 GeV / c和26 MeV质子在强辐射的MCz和FZ硅探测器上引起的辐射损伤
机译:研究24 GeV / c和26 MeV质子在强辐射的MCz和FZ硅探测器上引起的辐射损伤
机译:24 GEV质子辐照MCZ SI P {SUP} + - N(TD)-N {SUP} +探测器的空间电荷标志反演和电场重建在通过热施导介绍处理
机译:使用非简并瞬变光栅技术相干控制体砷化镓中的电荷电流,自旋电流和载流子密度。
机译:综合二维液相色谱 - 二极管阵列探测器数据重建插值技术的插值技术
机译:深能级瞬态光谱法研究n型和p型4H-SiC外延层中的中间能级
机译:用固态单晶生长(ssCG)技术开发n型和p型掺杂钙钛矿单晶。