机译:电子束冷却对外部质子束横向和纵向发射的影响
Institut fuer Kemphysik, Fonchungszentrum Jiilich, 52425 Juelich, Germany;
Fakultat fuer Physik, Untversitaet Duisburg-Essen, Lotharstr. 1, 47048 Duisburg, Germany;
Institute of Physics, Jagellonian University, 30059 Krakow, Poland;
Institut fuer Kemphysik, Fonchungszentrum Jiilich, 52425 Juelich, Germany;
Institut fuer Kemphysik, Fonchungszentrum Jiilich, 52425 Juelich, Germany;
Institute of Nuclear Physics, Krakow, Poland;
Institut fuer Kemphysik, Fonchungszentrum Jiilich, 52425 Juelich, Germany;
Institut fuer Kemphysik, Fonchungszentrum Jiilich, 52425 Juelich, Germany;
Charged particle beam; Electron cooling; Emittance;
机译:大阪大学ISIR的高亮度电子束纵向相空间和横向切片发射率测量
机译:带有外部谐振腔的降低横向发射的热电子射频电子枪的设计和射束动力学模拟
机译:具有外部谐振腔的热离子RF电子枪的设计与梁动态模拟,用于横向发射率降低
机译:通过横向激光束整形,RF光灭绝器产生的电子束的可发射率降低
机译:冷却质子束中横向粒子分布的测量。
机译:通过X射线光谱成像测量的激光加速电子的本征束发射率
机译:VUV和软X射线自由电子激光器FLASH(以前的VUV-FEL)是DESY \ ud的用户设施 (汉堡)。为了优化设施的性能,\ ud的准确表征 电子束特性至关重要。横向投影发射率,重要参数之一 表征电子束质量的方法是使用具有光学\ ud 过渡辐射监测仪。 1 udC光束的归一化均方根发射率低于2 mmmrad 测量。在本文中,我们描述了实验设置,数据分析方法以及当前\ ud 实验结果。