机译:CMS中CBC中的单一事件镦粗率
Blackett Laboratory Imperial College London SW7 2AZ UK;
Blackett Laboratory Imperial College London SW7 2AZ UK;
Blackett Laboratory Imperial College London SW7 2AZ UK;
STFC Rutherford Appleton Laboratory Didcot Oxon OX11 OQX UK;
STFC Rutherford Appleton Laboratory Didcot Oxon OX11 OQX UK;
ASIC electronics; Tracking detectors; Silicon microstrips; Radiation damage; Single event upset;
机译:商业批量65nm CMOS SRAM和触发器中的单事件翻转和多单元翻转建模
机译:CMOS SRAM中单事件闩锁和单事件翻转的微束映射
机译:使用具有亚微米点尺寸的紫外光脉冲的衬底刻蚀CMOS SOI SRAM中的单事件扰动
机译:CMOS SRAM中单事件闩锁和单事件翻转的微束映射
机译:批量CMOS中未硬化和硬化触发器的单事件翻转技术缩放趋势
机译:缓解癫痫神经刺激器的位翻转或单事件不适
机译:通过突发产生速率函数评估CMOS芯片敏感性参数对中子影响的单个事件扰乱
机译:CmOs器件的单事件翻转和闩锁注意事项,工作电压为3.3 V