机译:在纳米级相变存储器中模拟与尖峰时序相关的可塑性
Samsung Elect Co Ltd, Semicond Business, Memory Div, Hwaseong Si 445330, Gyeonggi Do, South Korea;
Samsung Elect Co Ltd, Semicond Business, Memory Div, Hwaseong Si 445330, Gyeonggi Do, South Korea;
Samsung Elect Co Ltd, Semicond Business, Memory Div, Hwaseong Si 445330, Gyeonggi Do, South Korea;
Yonsei Univ, Yonsei Inst Convergence Technol, Inchon 406840, South Korea;
Yonsei Univ, Dept Mat Sci & Engn, Seoul 120749, South Korea;
Spike-timing dependent plasticity; Two-phase change memory cells; Long-term potentiation; Long-term depression; Electronic synapses;
机译:穗定时依赖可塑性有助于耳鸣表现早期阶段的兴奋/抑制性分娩
机译:晶体管选择的电阻开关存储器中与尖峰时序有关的可塑性
机译:时态时序依赖可塑性的时间联想记忆(TAM)
机译:尖峰时序依赖可塑性的波动数字仿真
机译:依赖于峰值计时的可塑性产生的网络结构。
机译:穗时间依赖性的可塑性促进耳鸣表现早期的兴奋性/抑制性失衡
机译:在纳米级相变存储器中模拟与尖峰时序有关的可塑性