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Stability Analysis for Memristive Recurrent Neural Network Under Different External Stimulus

机译:不同外界刺激下忆阻递归神经网络的稳定性分析

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摘要

Memristor is the fourth missing element. This paper discusses dynmacis memristive recurrent neural network with memristors as synapses. Firstly, it analyzes variation property of memristance under different external inputs with memristor simulation model. It concludes that memristance will be stable at one value if the direction of voltage is not changed and be varying periodically under periodically variable voltage. Next, it presents the memristive recurrent neural network model and gives local attractive region, one sufficient condition for memristive recurrent neural network under periodic voltage source. At last, an illustrative example is given for verifying our result.
机译:忆阻器是第四个缺失的要素。本文讨论了以忆阻器为突触的记忆力递归神经网络。首先,利用忆阻器仿真模型分析了忆阻器在不同外部输入下的变化特性。结论是,如果电压方向不变,忆阻将稳定在一个值,并且在周期性变化的电压下会周期性变化。接下来,提出了忆阻递归神经网络模型,给出了局部吸引区域,这是在周期性电压源下忆阻递归神经网络的充分条件。最后,给出了一个示例性例子来验证我们的结果。

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