机译:霍奇金-赫克斯利形式主义的局限性:单通道动力学对跨膜电压动力学的影响
Computation and Neural Systems Program, California Institute of Technology, Pasadena, CA 91125 USA;
机译:电压阶跃测量条件下单个Hodgkin-Huxley型电压相关离子通道的可识别性分析和参数估计
机译:模拟通道动力学和温度对霍奇金-赫克斯利阈值动力学的影响
机译:S6跨膜结构域中的单个残基控制电压门控钾通道的flecainide敏感性差异。
机译:使用Hodgkin-Huxley Mode模拟电压门控Na和K离子通道动力学
机译:物理上了解电压依赖性离子通道中门控的热力学和动力学特性。
机译:双电压钳制方法在分析间隙连接通道的电导和动力学方面的局限性。
机译:霍奇金-赫克斯利形式主义的局限性: ud的影响跨膜电压动力学的单通道动力学