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机译:GaAs(001)表面选择性区域分子束外延中InAs自组装量子点尺寸和面密度的控制
EPSRC National Centre for Ⅲ-ⅤTechnology, Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield S1 3JD, UK;
selective area epitaxy; molecular beam epitaxy; InAs quantum dots;
机译:GaAs多晶对选择性区域分子束外延中InAs量子点尺寸和面密度的影响
机译:通过分子束外延改进AlGaAs / GaAs量子阱结构中自组装高密度InAs量子点分子的量子限制
机译:GaAsSb / GaAs(001)上高密度InAs量子点的分子束外延面内自排列
机译:选择区域分子束外延在GaAs上生长的InAs自组装量子点的尺寸,面密度和发射能控制
机译:硅(001):磷气源分子束外延过程中的磷掺入:对薄膜生长动力学,表面形态和锗量子点覆盖层的自组织的影响。
机译:自组装GaInNAs / GaAsN量子点激光器:固体源分子束外延生长和高温操作
机译:生长条件对分子束外延在GaAs上生长的自组装InAlAs / AlGaAs量子点尺寸和密度的影响