机译:金属有机化学气相沉积法生长高Al含量Al_xGa_(1-x)N的特性
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;
Al_xGa_(1-x)N; MOCVD; high Al content; photodetector;
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的单个和多个Al_xGa_(1-x)N / GaN异质结构中的二维电子的光学特性
机译:金属有机化学气相沉积法生长Al_xGa_(1-x)Sb的光电性能研究
机译:金属有机化学气相沉积法在Al_xGa_(1-x)N表面上的GaN自组装量子点产生的UV光致发光
机译:通过金属有机化学气相沉积的Al_xga_(1-x)N表面上的GaN自组装量子点的UV光致发光
机译:通过等离子体增强的金属有机化学气相沉积法制得的锶钛氧化物和钡(1-x)锶钛氧化物外延薄膜。
机译:金属有机化学气相沉积外延生长的锗纳米柱太阳能电池
机译:利用三甲基镓和三乙基镓进行金属有机化学气相沉积生长GaN的特性
机译:嵌入In0.49(al(x)Ga(1-x))0.51p金属有机化学气相沉积Inp自组装量子点的性质。