机译:分子束外延生长名义上未掺杂的Si / sige异质结构纳米线的增强电性能
Max-Planck Institute of Microstructure Physics, Weinberg 2, D-06120 Halle, Germany;
nanowire; silicon-germanium; MBE;
机译:通过分子束外延生长名义上无掺杂的硅纳米线的电学性质
机译:快速热退火对通过分子束外延(MBE)在R平面取向的蓝宝石衬底上生长的未掺杂和N掺杂的ZnO a平面外延层的光学和电学性质的影响
机译:通过分子束外延在InP衬底上生长的未掺杂In0.53Ga0.47As的电学性质
机译:用蒸汽射线源的分子束外延生长的自组装纳米能器的组成,光电性能和SiGe / Si异质结构的电致发光
机译:分子束外延生长的砷化镓锰外延层和异质结构的电输运研究。
机译:通过分子束外延生长在Si(111)衬底上生长的Au催化的GaAs纳米线的电和光学性质
机译:磷对原子层分子束外延低温生长的非掺杂InP电性能的影响
机译:分子束外延(mBE) - 未掺杂Gaas / alGaas双异质结构(DH)的非辐射寿命的优化。