机译:通过分子束外延在InP衬底上生长的未掺杂In0.53Ga0.47As的电学性质
Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China;
characterization; point defects; molecular beam epitaxy; semiconducting gallium compounds; semiconducting indium compounds; semiconducting ternary compounds; 1.55 MU-M; QUANTUM-WELLS; TEMPERATURE; GAAS;
机译:通过分子束外延在(221)A InP衬底上生长的1.3微米有效范围圆柱形In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As量子线
机译:快速热退火对通过分子束外延(MBE)在R平面取向的蓝宝石衬底上生长的未掺杂和N掺杂的ZnO a平面外延层的光学和电学性质的影响
机译:基于分子束外延和有机金属化学气相沉积制备的非掺杂In0.53Ga0.47As / InP异质结构的磁场传感器
机译:在111 B InP衬底上生长的In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As层和In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As / In / sub 0.52 / Al / sub 0.48 / As量子阱结构的光学性质通过分子束外延
机译:分子束液滴外延生长的纳米孔对二维电子气电学性质的影响。
机译:GaAs衬底上分子束外延生长的中波和长波InAs / GaSb超晶格的电学性质
机译:磷对原子层分子束外延低温生长的非掺杂InP电性能的影响
机译:用裂解膦分子束外延生长Inp的电学和光学性质