...
机译:通过使用低频噪声和电荷泵测量来表征高κ栅极电介质中的电活性缺陷
Semiconductor Electronics Division, NIST, 100 Bureau Drive, Gaithersburg, MD 20899-8120, USA;
low frequency noise; charge pumping; border trap; depth profiling;
机译:SiO_2 / HfO_2栅堆叠nMOSFET中使用电荷泵和低频噪声测量对界面状态进行深度剖析的比较研究
机译:栅电极对具有高κ电介质的p-MOSFET的低频(1 / f)噪声的影响
机译:用低频噪声和电荷泵测量研究Halo nMOSFET中90nm的退火后诱导的缺陷行为
机译:使用电荷泵的高k栅极电介质中电活性缺陷的表征
机译:先进栅极电介质中电活性缺陷的表征。
机译:用于a-IGZO薄膜晶体管的高κEr2O3和Er2TiO5栅极电介质的结构和电气特性
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明