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机译:使用溅射和ALD工艺在具有不同长宽比的3D结构中覆盖阻挡层和种子层
Interuniversity Microelectronics Center (IMEC), Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium;
barrier; seed layer; step coverage; high aspect ratio; through-silicon-via;
机译:在300 mm晶圆水平上实现3D系统集成:通过热ALD和随后的铜电镀工艺,实现具有钌籽晶层的高纵横比TSV
机译:通过使用低成本电解-NI作为3D-LSI集成和包装应用的低成本电解-NI作为屏障和种子层的高纵横比通过硅 - 通过形成
机译:四元合金(InAlGaAs)封顶的InAs / GaAs多层量子点异质结构的热稳定性,其生长速率,势垒厚度,种子量子点单层覆盖率和生长后退火均会发生变化
机译:通过具有原子层沉积阻挡层,种子层和直接镀层的硅通孔进行高深宽比的可靠性测试,以及用于3D集成的电接枝绝缘体,阻挡层和种子层的材料特性表征
机译:复合多层膜结构,用于折射率定制和Ald高纵横比沟槽填充。
机译:通过原子层沉积和化学气相沉积在高纵横比结构中沉积的薄膜的ToF-SIMS 3D分析
机译:ALD生长的种子层,用于与不同扩散阻挡系统集成的电化学铜沉积
机译:CBD,aLD和溅射制备Zn(O,s)缓冲层和CIGs太阳能电池的比较研究。