溅射工艺对SiCN扩散阻挡层薄膜的影响

摘要

本文采用射频磁控反应溅过去制备了SiCN簿膜,利用台阶仪、原了力显微镜(AFM)）、X射线衍射(XRD)表征了薄膜的形貌结构。研究了工艺参加如射频功率、N2/Ar工作气流量比以及快速热处理对薄膜沉积速率、表面形貌、物相结构的影响。结果表明：溅射功率的提高使沉积速率随之提高,但所得簿膜的表面粗糙度也随之变大；N2/Ar流量比的增大对沉积速率的影响不大，但能显减小薄膜表面粗糙度；沉积态SiCN薄膜为无定型的非晶结构,有很好的热稳定牲,经1200°C退火后才出现微弱的晶相,晶化温度在1000°C以上。