SiO_2阻挡层对直流磁控溅射制备AZO薄膜性能的影响

摘要

在AZO薄膜制备温度下,浮法玻璃衬底中的杂质可能会引入"掺杂"效应而导致薄膜迁移率的降低。为了提高薄膜的迁移率,增加载流子在薄膜中的输运能力,本实验提出SiO2/AZO复合薄膜制备技术。SiO2薄膜与普通玻璃相比,具有纯度高、透过率高的特点,本实验通过SiO2/AZO复合结构提高薄膜的迁移率。采用SiO2/AZO复合结构溅射制备AZO薄膜,使薄膜的载流子迁移率由19.8 cm2.V-1.s-1提高到57.1 cm2.V-1.s-1。