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机译:碱扩散在化学放大光刻胶中的光刻重要性
Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology (IISB), Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen, Germany;
Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology (IISB), Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen, Germany;
lithography; chemically amplified photoresist; line-edge roughness; resolution; sensitivity; simulation; mesoscopic; Dr.LiTHO;
机译:聚合物基体和光酸产生剂对化学增幅光刻胶平版印刷性能的影响
机译:基础添加剂对模型化学放大光刻胶反应扩散前沿的影响
机译:具有不同光酸大小的化学放大模型光刻胶的反应扩散前沿的测量
机译:环境稳定的化学放大光刻胶(ESCAP)的光刻性能
机译:正极化学放大光致抗蚀剂中的催化剂扩散。
机译:通过非化学放大光刻胶的EUV定向极性切换对复杂纳米特征的高度有序阵列进行构图
机译:一种新型化学扩增的DUV光致抗蚀剂族的光刻性能和污染抗性。