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机译:BCl_3 / Cl_2 / Ar中InAs / InSb的室温感应耦合等离子体刻蚀
Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia,Mailbox 1830, 4700 KAUST, Thuwal 23955- 6900, Saudi Arabia;
Physical Sciences and Engineering Division, King Abdullah University of Science and Technology, Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia;
inductive coupled plasma; etching; Ⅲ-Ⅴ semiconductor; InAs; InSb; microfabrication;
机译:电感耦合的Cl_2 / CH_4 / H_2 / Ar和BCl_3 / CH_4 / H_2 / Ar等离子体中ZnO和Al掺杂ZnO的刻蚀特性
机译:在感应耦合等离子体中使用Ar / CHF_3,Ar / Cl_2和Ar / BCl_3气体化学方法对TiN膜进行干法刻蚀
机译:Cl_2 / BCl_3和Cl_2 / Ar电感耦合等离子体刻蚀GaN薄膜的特性
机译:BCl_3 / Cl_2 / Ar中In_(1-x-y)Al_xGa_yAs的电感耦合等离子体刻蚀
机译:在感应耦合等离子体反应器中研究碳氟化合物沉积和蚀刻对硅和二氧化硅蚀刻工艺的影响(使用三氟化甲基),并开发了用于研究等离子体与表面相互作用机理的反应离子束系统。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:高密度BCL3和BCL3 / AR中的GaAs和Algaas半导体材料的干蚀刻电感耦合等离子体
机译:基于ICl和IBr的化学中的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分。 Inp,Insb,InGap和InGaas;等离子体化学和等离子体处理