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机译:氧化硅和六方氮化硼在石墨烯上的电子束诱导沉积:衬底的比较
Delft University of Technology, Fac. Appl. Sciences, Charged Particle Optics Group, Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, The Netherlands;
Delft University of Technology, Kavli Institute of Nanoscience, Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, The Netherlands;
Delft University of Technology, Kavli Institute of Nanoscience, Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, The Netherlands;
Delft University of Technology, Fac. Appl. Sciences, Charged Particle Optics Group, Lorentzweg 1, 2628 CJ Delft, The Netherlands;
Graphene; Substrate; Silicon oxide; Hexagonal boron nitride; Electron Beam Induced Deposition; Raman spectroscopy;
机译:慢金原子在石墨烯上的扩散:二氧化硅和六方氮化硼衬底的影响
机译:石墨烯与六方氮化硼衬底和石墨烷的电子传输性能比较,第一个原理研究
机译:低压化学气相沉积硅基衬底上六边形氮化物膜的生长
机译:激光等离子体沉积技术在硅和钼衬底上制备氮化硼纳米结构的合成与比较
机译:六方氮化硼/石墨烯异质结构,六方氮化硼层和立方氮化硼纳米点的分子束外延生长
机译:具有增强的导热性能的三维异质结构还原氧化石墨烯-六方氮化硼堆叠材料
机译:六方氮化硼衬底上石墨烯的附着力和电子结构