机译:0.25μmCMOS技术中从低温到高温的动态操作过程中的旋转效应
机译:0.25 / splμ/ m CMOS技术的静态和动态寄存器中的单事件效果
机译:采用标准0.25μmCMOS技术的动态逻辑相频检测器对低功耗全数字锁相环进行分析和设计
机译:在低温下以0.25 / spl mu / m CMOS技术对集成有源反馈前置放大器进行建模
机译:使用LOCOS边缘的浅沟槽隔离可防止0.25 / 0.18 / spl mu / m CMOS技术及更高版本的拐角效应
机译:SOI CMOS技术的辐射效应和温度效应。
机译:用于汽车压力和温度复合传感器的信号调理IC中采用180 Nm CMOS技术的低功耗小面积符合AEC-Q100标准的SENT发送器的设计
机译:采用$ 0.25- \ mu-m $ CMOS技术的静态和动态寄存器中的单事件效果