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机译:电流密度对电化学刻蚀中硅表面的影响
Universiti Kebangsaan Malaysia (UKM), Malaysia;
current density; electrochemistry; elemental semiconductors; etching; filters; membranes; nanoporous materials; porous semiconductors; silicon; KOH process; Si; artificial kidney; biological fluid; current density; electrochemical etching; nanofiltration; nanoporous filters; physical characteristic; silicon surface; size 3 mum; solute particles; thick nanoporous silicon membrane; waste;
机译:电化学刻蚀不同电流密度下毛细管驱动表面织构化多孔硅膜的表面结构和润湿性调节
机译:刻蚀电流密度对光电化学刻蚀对大孔硅阵列形貌的影响
机译:多重内反射几何学中红外表面吸收光谱法对硅表面电化学刻蚀过程的原位观察红外抗体对硅表面电化学刻蚀过程的原位观察
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机译:扫描隧道显微镜和密度泛函理论研究卤素在硅(100)表面的动力学和蚀刻反应。
机译:使用不同电流密度的铜电化学沉积的动态硅通孔填充工艺
机译:蚀刻时间对光电化学阳极氧化对p型和n型多孔硅纳米结构表面结构性能的影响