公开/公告号CN101226872A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司;
申请/专利号CN200710062732.3
发明设计人 陶林;
申请日2007-01-15
分类号H01L21/00(20060101);H01L21/3065(20060101);C23F4/00(20060101);
代理机构11260 北京凯特来知识产权代理有限公司;
代理人郑立明;任红
地址 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼
入库时间 2023-12-17 20:32:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-11-03
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/00 公开日:20080723 申请日:20070115
发明专利申请公布后的驳回
2008-09-17
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-07-23
公开
公开
机译: 相对于沉积的氧化物,热生长的氧化物和氮化物中的至少一种选择性地刻蚀多晶硅的方法,以及相对于BPSG选择性地刻蚀多晶硅的方法
机译: 可现场监测的等离子刻蚀设备,原位监测方法,用于清除等离子刻蚀腔室中残留物的原位清洗方法
机译: 在制造半导体器件以防止多晶硅残渣造成的桥接中消除刻蚀腔中的聚合物的方法