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Methods for characterizing defects on silicon surfaces, etching composition for silicon surfaces and process of treating silicon surfaces with the etching composition

机译:表征硅表面上的缺陷的方法,用于硅表面的蚀刻组合物以及用该蚀刻组合物处理硅表面的方法

摘要

The present invention relates to a method for characterizing defects on silicon surfaces, in particular silicon wafers, a method for treating silicon surfaces with an etching solution and the etching solution to be employed in the method and process of the present invention.
机译:本发明涉及表征硅表面,特别是硅晶片上的缺陷的方法,用蚀刻溶液处理硅表面的方法以及在本发明的方法和工艺中使用的蚀刻溶液。

著录项

  • 公开/公告号EP1918985B1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-05-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SOITEC SILICON ON INSULATOR;

    申请/专利号EP20060291711

  • 发明设计人 ABBADIE ALEXANDRA;

    申请日2006-10-31

  • 分类号C09K13/08;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 18:38:31

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