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机译:近界面氧化物陷阱导致SiC MOSFET的阈值电压不稳定性
Sensors and Electron Devices Directorate, U.S. Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd, Adelphi, MD 20783, USA;
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reliability; MOSFET; threshold-voltage; oxide trap;
机译:非弛豫法揭示氮化氮化栅氧化物的4H-SiC MOSFET的阈值电压不稳定性
机译:市售SiC MOSFET的阈值电压偏置温度不稳定性
机译:影响SiC MOSFET阈值电压不稳定性表征的测量问题
机译:具有生长和沉积的栅极氧化物的SiC MOSFET阈值电压稳定性的比较
机译:阈值电压不稳定性对碳化硅mosfet可靠性的原因和影响
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:通过磷掺入栅极氧化物的SiC-MOS接口陷阱的减少及改进的MOSFET性能